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10月16日，长鑫科技披露2026年前三季度业绩预告。公司预计前三季度营收介于2650亿元至2700亿元之间，较去年同期增加2329.16亿元至2379.16亿元；归属于上市公司股东的净利润预计为1310亿元至1325亿元，同比增加1362.8亿元至1377.8亿元。

长鑫科技指出，自2025年下半年起，AI算力需求快速攀升，全球DRAM行业景气度回暖，产品供应紧张，价格显著上扬。公司稳步推进产能建设、产品研发及工艺技术进步，单位晶圆产出和产能利用率持续提升，规模效应日益显现。同时，公司优化运营管理，积极拓展市场，深化产业链上下游协作，推动业务规模不断扩大。

公司精准抓住行业发展机遇，通过持续的研发投入和工艺迭代升级，不断优化产品结构，产能利用率保持高位，整体业绩实现大幅提升。

同日，长鑫科技公告称，董事长朱一明提议公司通过集中竞价交易方式回购A股股份，回购资金总额不低于10亿元，不超过20亿元，资金来源为自有或自筹资金。

存储产品涨价趋缓

2026年上半年，长鑫科技实现营收1503.1亿元，同比增长873.64%；归属于上市公司股东的净利润为776.05亿元。据此计算，第三季度公司营收约在1146.9亿元至1196.9亿元之间，环比增长约15.25%至20.3%；净利润约533.95亿元至548.95亿元，环比增长约1%至3.9%。

2026年第一季度和第二季度，长鑫科技净利润环比增速分别为246.09%和113.4%，这意味着第三季度利润增速明显放缓。与第二季度95.5%的营收环比增长相比，第三季度营收环比增速也显著回落。

第三季度环比增速放缓，与行业趋势相关。群智咨询表示，第三季度进入DRAM厂商与终端客户博弈阶段，AI算力需求虽提供支撑，但消费终端采购需求受抑制，市场博弈加剧，整体价格涨幅将大幅收窄。

TrendForce集邦咨询亦指出，2026年第四季度，DRAM原厂持续将先进制程用于服务器高性能产品生产，整体维持供不应求格局，但合约价涨势放缓，预计一般型DRAM将季增10%-15%。NAND Flash市场呈现AI加速与消费性需求低迷但连带涨价的双轨发展，预计整体合约价格将季增15%-20%。

DRAM涨价幅度放缓，不可避免地影响长鑫科技业绩。2025年，长鑫科技DDR系列产品单位价格同比增长61%；销量（按容量）同比增长282.22%；营收同比增长515.36%，达195.31亿元。LPDDR系列产品单位价格同比增长24.46%；销量（按容量）同比增长65.18%；营收同比增长105.59%，达407.04亿元。

2026年上半年，长鑫科技DDR系列收入694.72亿元；LPDDR系列收入781.91亿元。两项产品上半年合计收入已超去年全年水平，上半年涨价周期为公司带来丰厚业绩弹性。进入第三季度，两类产品涨价幅度双双回落，直接导致业绩增速从上半年的高速增长进入阶段性放缓。

这一趋势并非长鑫科技独有。另一国产存储龙头江波龙也在2026年前三季度业绩预告中表示，全球存储器市场供需格局总体仍偏紧，但受前期较高价格基数影响，DRAM和NAND Flash价格涨幅较前期明显收窄，存储价格上涨对公司盈利的边际贡献显著趋缓。

仍在扩张产能

DRAM涨价幅度放缓，不仅会拖累长鑫科技现有产品的盈利弹性，也可能降低其产能扩张的收益率。

长鑫科技曾表示，DRAM是半导体行业中高度标准化的产品，产能建设需巨大资本投入，规模效应带来的成本优势是公司核心竞争力之一。

产能建设也带来一定隐忧。在2026年半年报中，长鑫科技指出，报告期内，公司固定资产账面价值为1815.63亿元，占期末资产总额的38.79%，占比较高。计提固定资产折旧额为145.10亿元，同比增加27.85%。公司持续进行产能建设，由此产生的大额折旧将在折旧期限内对业绩带来一定影响。

2026年7月，长鑫科技成功上市，募资净额663.1亿元，将用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目和动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。三大项目并非新建产能，而是实现生产线技术改造升级、加快DRAM产能建设、完善产业链布局、提升研发水平。

从现有布局看，长鑫科技目前在合肥运营两座12英寸DRAM晶圆厂，在北京运营一座12英寸晶圆厂，单座工厂月晶圆产能可达10万片。此外，公司持续建设合肥肥西测试基地新产线，新建上海DRAM及HBM产线。

其中，长鑫科技北京晶圆厂由长鑫集电负责运营。天眼查显示，近日，长鑫集电（北京）存储技术有限公司发生工商变更，注册资本由约508.5亿元增至约601.8亿元，增幅约18%。该公司由长鑫科技、北京亦庄国际投资发展有限公司、国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司、北京亦庄科技有限公司、北京屹唐科技有限公司共同持股。北京晶圆厂运营主体增资，或许意味着长鑫科技在北京基地的资本投入仍在加码。

由此来看，长鑫科技一方面面临DRAM涨价幅度放缓，新增产能和技改投入的边际收益下降；另一方面则是固定资产占比高、折旧上升，资本开支仍在推进。若后续DRAM价格涨幅继续放缓，公司产能扩张的收益率和业绩增速都可能面临压力。

从行业长期发展视角看，国内DRAM产业始终面临海外厂商的技术与市场壁垒。长鑫科技作为本土头部存储芯片厂商，持续推进产能建设与技术迭代，是突破海外垄断、抢占本土市场份额的必要投入。即便短期受行业周期波动影响，业绩和资本开支收益会有所承压，但其长期布局对于完善国内产业链仍具备重要战略意义。

本文来自微信公众号“征探财经”，作者：五仁，36氪经授权发布。